SSD Samsung

SAMSUNG 850 EVO MZ-N5E500BW - DISQUE SSD - CHIFFRÉ - 500 GO - INTERNE - M.2 2280 - SATA 6GB/S - MÉMOIRE TAMPON : 512 MO - SELF-ENCRYPTING DRIVE (SED), TCG OPAL ENCRYPTION 2.0

Cod. MZ-N5E500BW
Type de produit: Disque SSD ; Capacité: 500 Go ; Format: M.2 ; Interface: Serial ATA-600 ; Vitesse de rotation: 0 tr/min ; Débit de transfert de données: 540 Mo/s ;
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Général
Type de périphérique Disque SSD - interne Capacité 500 Go
Cryptage matériel Oui Type de mémoire flash NAND 3 bits par cellule (TLC)
Facteur de forme M.2 2280 Interface SATA 6Gb/s
Taille de la mémoire tampon 512 Mo Caractéristiques Chiffrement intégral du disque (FDE), prise en charge TRIM, mode DevSleep, compatible Microsoft eDrive, 3D V-NAND Technology, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, Worldwide Name (WWN), prise en charge du mode RAPIDE, TurboWrite Technology, Samsung MGX Controller, S.M.A.R.T., AES 256 bits, IEEE 1667
Largeur 22.1 mm Profondeur 80.3 mm
Hauteur 1.52 mm
Performances
Débit de transfert du lecteur 600 Mo/s (externe) Débit de transfert interne 540 Mo/s (lecture) / 500 Mo/s (écriture)
Écriture aléatoire 4 Ko maximum 89000 IOPS
Fiabilité
Fiabilité MTBF 1,500,000 heures
Expansion et connectivité
Interfaces 1 x SATA 6 Gb/s - M.2 Card Baie compatible M.2 2280
Alimentation
Consommation électrique 50 mW (actif) | 3.5 Watt (moyenne) | 4.7 Watt (maximum) | 2 mW (veille)
Logiciels & Configuration requise
Logiciel inclus Samsung Magician Software, Samsung Data Migration
Garantie du fabricant
Services & maintenance Garantie limitée - 5 ans
Caractéristiques d'environnement
Température de fonctionnement mini 0 °C Température de fonctionnement maxi 70 °C
Résistance aux chocs (au repos) 1500 g @ impulsion semi-sinusoïdale 0,5 ms
L'architecture unique de la mémoire flash V-NAND 3D de Samsung est une avancée technologique permettant de dépasser les limites de densité, les performances et l'endurance de l'architecture NAND plane traditionnelle.
Fabriquée en empilant 32 couches de cellules verticalement au lieu de réduire la taille des cellules et de s'inscrire dans un espace horizontal fixe, la V-NAND 3D permet d'augmenter la densité ainsi que les performances tout en limitant son empreinte.


  • Qu'est-ce que la V-NAND 3D et quelles sont ses différences avec les technologies existantes
  • Optimisez votre expérience informatique au quotidien à l'aide de la technologie TurboWrite qui offre des vitesses de lecture/écriture sans précédent
  • Endurance et fiabilité garanties renforcées par la technologie V-NAND 3D
  • Utilisez votre ordinateur plus longtemps grâce à une faible consommation d'énergie renforcée par la V-NAND 3D

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