SSD Samsung

SAMSUNG 850 EVO MZ-75E250 - DISQUE SSD - CHIFFRÉ - 250 GO - INTERNE - 2.5" - SATA 6GB/S - MÉMOIRE TAMPON : 512 MO - SELF-ENCRYPTING DRIVE (SED), TCG OPAL ENCRYPTION 2.0

Cod. MZ-75E250B/EU
Type de produit: Disque SSD ; Capacité: 250 Go ; Format: 2.5" ; Interface: Serial ATA-600 ; Vitesse de rotation: 0 tr/min ; Débit de transfert de données: 600 Mo/s ;
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Général
Type de produit Disque SSD Format 2.5"
Vitesse de rotation 0 rpm Débit de transfert de données 540
Type de périphérique Disque SSD - interne Capacité 250 Go
Cryptage matériel Oui Facteur de forme 2.5"
Interface SATA 6Gb/s Taille de la mémoire tampon 512 Mo
Caractéristiques Chiffrement intégral du disque (FDE), prise en charge TRIM, technologie Garbage Collection, cache DRAM, mode DevSleep, 3D V-NAND Technology, Dynamic Thermal Guard protection, Worldwide Name (WWN), prise en charge du mode RAPIDE, TurboWrite Technology, Low Power DDR2 SDRAM Cache, Samsung MGX Controller, S.M.A.R.T., AES 256 bits, IEEE 1667 Largeur 69.85 mm
Profondeur 100 mm Hauteur 6.8 mm
Poids 40 g
Performances
Endurance SSD 75 TB Débit de transfert du lecteur 600 Mo/s (externe)
Débit de transfert interne 540 Mo/s (lecture) / 520 Mo/s (écriture) Lecture aléatoire 4 Ko 97000 IOPS
Écriture aléatoire 4 Ko 88000 IOPS
Fiabilité
Fiabilité MTBF 1,500,000 heures
Expansion et connectivité
Interfaces 1 x SATA 6 Gb/s - ATA série de 7 broches Baie compatible 2.5"
Alimentation
Consommation électrique 2.4 Watt (actif) | 50 mW (inactif) | 2 mW (veille)
Logiciels & Configuration requise
Logiciel inclus Samsung Magician Software, Samsung Data Migration
Garantie du fabricant
Services & maintenance Garantie limitée - 5 ans
Caractéristiques d'environnement
Température de fonctionnement mini 0 °C Température de fonctionnement maxi 70 °C
Taux d'humidité en fonctionnement 5 - 95 % (sans condensation) Résistance aux chocs (au repos) 1500 g @ impulsion semi-sinusoïdale 0,5 ms
Tolérance aux vibrations (au repos) 20 g @ 20-2000 Hz
L'architecture unique de la mémoire flash V-NAND 3D de Samsung est une avancée technologique permettant de dépasser les limites de densité, les performances et l'endurance de l'architecture NAND plane traditionnelle.
Fabriquée en empilant 32 couches de cellules verticalement au lieu de réduire la taille des cellules et de s'inscrire dans un espace horizontal fixe, la V-NAND 3D permet d'augmenter la densité ainsi que les performances tout en limitant son empreinte.


  • Qu'est-ce que la V-NAND 3D et quelles sont ses différences avec les technologies existantes
  • Optimisez votre expérience informatique au quotidien à l'aide de la technologie TurboWrite qui offre des vitesses de lecture/écriture sans précédent
  • Endurance et fiabilité garanties renforcées par la technologie V-NAND 3D
  • Utilisez votre ordinateur plus longtemps grâce à une faible consommation d'énergie renforcée par la V-NAND 3D

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