SSD Samsung

SAMSUNG 850 EVO MZ-75E1T0 - DISQUE SSD - CHIFFRÉ - 1 TO - INTERNE - 2.5" - SATA 6GB/S - MÉMOIRE TAMPON : 1 GO - SELF-ENCRYPTING DRIVE (SED), TCG OPAL ENCRYPTION 2.0

Cod. MZ-75E1T0B/EU
Type de produit: Disque SSD ; Capacité: 1 To ; Format: 2.5" ; Interface: Serial ATA-600 ; Vitesse de rotation: 0 tr/min ; Débit de transfert de données: 600 Mo/s ;
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Général
Type de périphérique Disque SSD - interne Capacité 1 To
Cryptage matériel Oui Facteur de forme 2.5"
Interface SATA 6Gb/s Taille de la mémoire tampon 1 Go
Caractéristiques Chiffrement intégral du disque (FDE), prise en charge TRIM, technologie Garbage Collection, cache DRAM, mode DevSleep, 3D V-NAND Technology, Dynamic Thermal Guard protection, Worldwide Name (WWN), prise en charge du mode RAPIDE, TurboWrite Technology, Low Power DDR2 SDRAM Cache, Samsung MEX Controller, S.M.A.R.T., AES 256 bits, IEEE 1667 Largeur 69.85 mm
Profondeur 100 mm Hauteur 6.8 mm
Poids 66 g
Performances
Endurance SSD 150 TB Débit de transfert du lecteur 600 Mo/s (externe)
Débit de transfert interne 540 Mo/s (lecture) / 520 Mo/s (écriture) Lecture aléatoire 4 Ko 98000 IOPS
Écriture aléatoire 4 Ko 90000 IOPS
Fiabilité
Fiabilité MTBF 1,500,000 heures
Expansion et connectivité
Interfaces 1 x SATA 6 Gb/s - ATA série de 7 broches Baie compatible 2.5"
Alimentation
Consommation électrique 3.7 Watt (lecture) | 4.4 Watt (écriture) | 50 mW (inactif) | 4 mW (veille)
Logiciels & Configuration requise
Logiciel inclus Samsung Magician Software, Samsung Data Migration
Garantie du fabricant
Services & maintenance Garantie limitée - 5 ans
Caractéristiques d'environnement
Température de fonctionnement mini 0 °C Température de fonctionnement maxi 70 °C
Taux d'humidité en fonctionnement 5 - 95 % (sans condensation) Résistance aux chocs (au repos) 1500 g @ impulsion semi-sinusoïdale 0,5 ms
Tolérance aux vibrations (au repos) 20 g @ 20-2000 Hz
L'architecture unique de la mémoire flash V-NAND 3D de Samsung est une avancée technologique permettant de dépasser les limites de densité, les performances et l'endurance de l'architecture NAND plane traditionnelle.
Fabriquée en empilant 32 couches de cellules verticalement au lieu de réduire la taille des cellules et de s'inscrire dans un espace horizontal fixe, la V-NAND 3D permet d'augmenter la densité ainsi que les performances tout en limitant son empreinte.


  • Qu'est-ce que la V-NAND 3D et quelles sont ses différences avec les technologies existantes
  • Optimisez votre expérience informatique au quotidien à l'aide de la technologie TurboWrite qui offre des vitesses de lecture/écriture sans précédent
  • Endurance et fiabilité garanties renforcées par la technologie V-NAND 3D
  • Utilisez votre ordinateur plus longtemps grâce à une faible consommation d'énergie renforcée par la V-NAND 3D

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