Disque dur interne Samsung

SAMSUNG 750 EVO MZ-750250 - DISQUE SSD - CHIFFRÉ - 250 GO - INTERNE - 2.5" - SATA 6GB/S - MÉMOIRE TAMPON : 256 MO - AES 256 BITS - SELF-ENCRYPTING DRIVE (SED), TCG OPAL ENCRYPTION 2.0

Cod. MZ-750250BW
Type de produit: Disque SSD ; Capacité: 250 Go ; Format: 2.5" ; Interface: Serial ATA-600 ; Vitesse de rotation: 0 tr/min ; Débit de transfert de données: 600 Mo/s ;
Pas disponible (Arrivée prévue)
Saisissez votre adresse email pour être informé dès que le produit arrivera
Vous commandez au moins 3 pièces ?
Demandez une offre spéciale
86,10 ¤
dont 0,01 ¤ d'éco-part
Prix hors TVA: 71,75 ¤
Général
Type de produit Disque SSD Format 2.5"
Vitesse de rotation 0 rpm Débit de transfert de données 600
Type de périphérique Disque SSD - interne Capacité 250 Go
Cryptage matériel Oui Algorithme de chiffrement AES 256 bits
Facteur de forme 2.5" Interface SATA 6Gb/s
Taille de la mémoire tampon 256 Mo Caractéristiques Chiffrement intégral du disque (FDE), prise en charge TRIM, mode veille, DDR3 DRAM Cache, Auto Garbage Collection Algorithm, Worldwide Name (WWN), prise en charge du mode RAPIDE, TurboWrite Technology, Samsung MGX Controller , S.M.A.R.T., IEEE 1667
Largeur 69.85 mm Profondeur 100 mm
Hauteur 6.8 mm Poids 45 g
Performances
Débit de transfert du lecteur 600 Mo/s (externe) Débit de transfert interne 540 Mo/s (lecture) / 520 Mo/s (écriture)
Écriture aléatoire 4 Ko maximum 88000 IOPS Lecture aléatoire maximale 4 ko 97000 IOPS
Fiabilité
Fiabilité MTBF 1,500,000 heures
Expansion et connectivité
Interfaces 1 x SATA 6 Gb/s - ATA série de 7 broches Baie compatible 2.5"
Logiciels & Configuration requise
Logiciel inclus Samsung Magician Software
Garantie du fabricant
Services & maintenance Garantie limitée - 3 ans/70 TBW
Caractéristiques d'environnement
Température de fonctionnement mini 0 °C Température de fonctionnement maxi 70 °C
Résistance aux chocs (au repos) 1500 g @ 0,5 ms
L'architecture unique et innovante de la mémoire flash V-NAND 3D de Samsung est une avancée technologique permettant de dépasser les limites de densité, les performances et l'endurance de l'architecture NAND plane traditionnelle. Fabriquée en empilant 32 couches de cellules verticalement au lieu de réduire la taille des cellules et de s'inscrire dans un espace horizontal fixe, la V-NAND 3D permet d'augmenter la densité ainsi que les performances tout en limitant son empreinte.
Grâce à la technologie TurboWrite de Samsung, vous obtenez des performances optimales en matière de lecture et d'écriture et par conséquent, vous maximisez votre utilisation informatique au quotidien. En plus d'une expérience utilisateur 10% supérieure à celle du 840 EVO, vous obtenez également des vitesses d'écriture aléatoires pour les modèles 120 / 259 Go . Le 850 EVO offre les meilleures performances en ce qui concerne les vitesses de lecture (540 Mo/s) et d'écriture (520 Mo/s) séquentielles. De plus, vous obtenez des performances aléatoires optimisées pour toutes les profondeurs de file d'attente en cas d'utilisation d'un PC client.


  • Qu'est ce que la V-NAND 3D et quelles sont ses dfférences avec les technologies existantes
  • Optimisez votre expérience informatique au quotidien à l'aide de la technologie TurboWrite qui offre des vitesses de lecture / écriture sans prédédent
  • Passez à la vitesse supérieure avec le RAPID mode amélioré
  • Utilisez votre ordinateur plus longtemps frâce à une faible consommation d'énergie renforcée par la V-NAND 3D
  • Protégez vos données avec le cryptage AES 256
  • Protection Dynamic Thermal Guard
  • Passez au niveau supérieur avec le 850 EVO sans aucune difficulté
  • Solution d'intégration haut de gamme

Nous n'émettons aucune garantie ni déclaration quant à l'exactitude de ces informations et nous déclinons toute responsabilité pour les erreurs typographiques ou autres, pour les omissions de contenu ou pour les erreurs d'association d'accessoires ou de consommables avec le produit principal.

Disque dur interne Samsung

86,10 ¤
SAMSUNG 750 EVO MZ-750250 - DISQUE SSD - CHIFFRÉ - 250 GO - INTERNE - 2.5" - SATA 6GB/S - MÉMOIRE TAMPON : 256 MO - AES 256 BITS - SELF-ENCRYPTING DRIVE (SED), TCG OPAL ENCRYPTION 2.0